MOSFETによる大電流（1000A）の制御

現在、容量性放電スポット溶接機を設計しており、スイッチングの問題に直面しています。

いくつかのスーパーキャパシタを直列に使用して、非常に短い時間（おそらく100ミリ秒未満）で約1000Aを放電する予定です。コンデンサを約10Vまで充電する予定です。

したがって、基本的に、非常に高い電流の短いパルスを供給できるデバイスが必要です。コンデンサの電荷全体を一度にダンプしたくないので、SCRは私の問題の解決策ではありません。私はMOSFETを見てきましたが、これが私の目に留まります： http://www.mouser.com/ds/2/205/DS100728A(IXTN660N04T4) -1022876.pdf

ただし、データシートを正確に解釈する方法がわかりません。 MOSFETはパルスドレイン電流状態として1800Aを駆動できますか？それとも、660A（または220A）に制限されており、これらのいくつかを並列に配線する必要がありますか？それとも、これらのMOSFETの1つで問題ありませんか？私の予備計算によると、他の抵抗なしでコンデンサに直接接続された単独のMOSFETは、約900Wを消費します。これは、データシートの範囲内にあるようです。

つまり、基本的に、データシートを正しく解釈しているのでしょうか、それともこれらのMOSFETをいくつか注文する必要があるのでしょうか（もしそうなら、いくつ推測しますか？）

コメント

• パルスの繰り返し時間が十分に長いと仮定すると、そのデバイスはそれを処理できるはずです。ただし、スーパーキャップと配線についてはよくわかりません。パルスの繰り返し時間が短い場合、900Wのことはあまり意味がありません。
• ドレイン電流をより完全に説明できれば非常に役立ちます。グラフのように。 0.1秒で1000Aだと思いますか？それとも、0.1秒間にFETのオンとオフを変調しますか？ジュールでの最大パルスエネルギーはどれくらいですか？
• スポット溶接に必要な電流を過小評価しているように感じますが。私が見ている最小値は、6kAから最大100kAのようなものです。
• キャップとFETの合計ESRが1000Aで9ミリオームの場合、' sa問題。 '溶接機にすべての電力をダンプし、溶接される場所には何もダンプしません。熱を出したい場所にほとんどの抵抗が必要です。
• @DaPasta：" 2F "を放電します。 SCR @ 15Vのカーオーディオキャップは、'のように（おそらく）18650にスポット溶接するのに適しています。 CC / CVベンチトップ電源@ 10Aを使用すると、10秒以内に再充電されます。溶接電源は、キャップへの電圧によって制御されます。