Chauffør på høj side og Chauffør på lav side [lukket]

I en lav-sidekontakt, vist til venstre, er belastningen mellem motorskinnen og N-kanal MOSFET, der skifter .

I en højsidet switch, vist til højre, er belastningen mellem jorden og P-kanal MOSFET, der skifter.

Lavkontakterne er praktiske til at køre lysdioder, relæer, motorer osv., fordi du generelt kan køre dem direkte fra en mikrocontrollerudgang, så længe V \ $ _ {GS} \ $ MOSFETs værdi er lavere end pinens udgangsspænding.

Hvis du bruger den til at drive en induktiv belastning, såsom et relæ eller en motor, skal du sørge for at sætte en undertrykkelsesdiode over belastningen.

Men de er ikke så gode til at levere strøm til andre kredsløb, fordi jordreferencen for det drevne kredsløb vil være over den virkelige jord uanset spændingsfaldet gennem MOSFET.

Kontakterne på højsiden er bedre til at tænde og slukke for strømskinner. På grund af pull-up-modstanden drives de normalt af en udgangsstifter, der er konfigureret som en open-drain (OD). Logikken er dog baglæns; for at dreje MOSFET er slået til, du lægger en jord på porten. For at slukke for den skal du lade stiften flyde, da pullup-modstanden holder MOSFET slukket. (I mikrocontrolleren med en OD-udgang , dette gøres ved at sende en 1 til udgangsstiften.

Der er en gotcha med højsideswitchen; hvis V \ $ _ {DD} \ $ -tilførslen til MOSFET er mere end ca. 0,6 v højere end forsyningsspændingen til mikrocontrolleren, kan den beskadige den sidstnævnte. Dette ville f.eks. Forekomme, hvis du kører en mikrocontroller ved 5V og skifter 12V med højsidekontakten. I dette tilfælde kan du bruge en lille N-kanal MOSFET, hvis output føder porten til P-kanalen.

Nogle gange er det nødvendigt at skifte tiere eller hundreder af ampere. I dette tilfælde kan du “Tilslut en N-kanalport direkte til en mikrocontrollerudgangsstift, da den ikke har nok drev til hurtigt at tænde MOSFET. Så man kan bruge en MOSFET gate driver som Micrel MIC5018.

Dette gør det muligt at bruge en N-kanal MOSFET som en høj -kontakt. N-kanal foretrækkes fremfor P-kanal i applikationer med høj strøm, da dens modstand (R \ $ _ {DSON} \ $) er lavere. Da porten til MOSFET skal være V \ $ _ {GS} \ $ volt højere end kilden, er der brug for en speciel IC for at oversætte det logiske niveau ved CTL-ledningen til den meget højere portspænding.

Selv hvis N-kanalen blev brugt i en lavkonfiguration, ville det være nødvendigt med chippen til at køre porten hurtigt nok. Det er også sandsynligt, at V \ $ _ {GS} \ $ -værdien af MOSFET er større end output fra mikrocontrolleren.

Kommentarer

• Dette er godt .. kan du venligst hjælpe mig med HVORFOR dey r bruges samtidigt i et ckt ..? ligesom hvor du bruger en høj side betyder det at du har 2 også bruger lav side? / ..
• Først og fremmest skal du ikke bruge ' t alle disse forkortelser i dine kommentarer. Vi ' sender ikke sms her. Du bruger enten en high-side switch eller en low-side switch afhængigt af de kriterier, jeg har givet. Du behøver ikke ' at bruge begge i et kredsløb.
• Beklager, menede ikke at .. Så når du bruger en driver på høj side til at skifte og forbinde skift til en belastning, den negative af belastningen er forbundet med jorden?
• Ja, ligesom højre side af mit diagram.
• @tcrosley, kan du venligst forklare dette erklæring du sagde venligst, og tegne et skematisk billede af det? " I dette tilfælde kan du bruge en lille N-kanal MOSFET, hvis output føder porten til P-kanalen. " I ' prøver at forstå, hvordan dette fungerer.Det lyder som når mikrokontrolleren driver den lille N-kanal MOSFET-port HIGH, vil output til den anden gate være lille, måske ~ 3V, men når mikroen driver den lille N-kanal gate LAV, er output afskåret, og pullup på den store MOSFET trækker den op til VDD. Er det her rigtigt? Nogle ekstra oplysninger om dette i dit svar vil blive meget værdsat!